高能效单层 WS$_2$ 沟槽鳍式场效应晶体管的电路感知器件建模
材料科学
2021-04-19 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
半导体技术的持续微缩已将逻辑器件的占位面积推至 50 nm 以下。目前，为提高集成密度，单鳍逻辑标准单元正被研究，尽管此类方案可能严重限制单个器件的性能。在本快报中，我们提出了一种由单层二维（2D）沟道材料构成的新型沟槽（T-）FinFET 器件。通过结合第一性原理计算与量子输运（QT）模拟，研究了基于单层 WS 的 T-FinFET 的器件特性。这些结果作为预测性解析模型的输入。该模型可在准弹道与扩散输运两种机制下，将 T-FinFET 与应变（s）-Si FinFET 进行基准对比。电路级评估强调，在微小占位面积下假设相同迁移率与接触电阻率时，WS T-FinFET 相比 s-Si FinFET 与 WS 双栅晶体管表现出具竞争力的能量-延迟性能。
引用
@article{arxiv.2104.07891,
title = {Circuit-aware Device Modeling of Energy-efficient Monolayer WS$_2$ Trench-FinFETs},
author = {Tarun Agarwal and Youseung Lee and Mathieu Luisier},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.07891},
year = {2021}
}
备注
4 pages, 3 figures