面向 AIoT 应用的能源效率单硅化物隧道器器件技术
介观与纳米尺度物理
2024-10-17 v1
摘要
本工作展示了一种新型能源效率高的隧道 FET(TFET)-CMOS 混合基准平台，用于面向超低功耗 AIoT 应用。通过采用所提出的单晶集成工艺， novel 的互补 n 型和 p 型硅 TFET技术采用掺杂分离的源际合和自对准漏下列边设计，成功集成到 300mm CMOS 基线工艺中，无需牺牲 CMOS 性能，也无需引入新材料，实验表明该 TFETs 的 Io 和行业制造商所记录的高 Io/Ioff 比率达到了 10^7。器件性能和可变性也针对高产量进行共优化。进一步的电路级实现基于校准紧凑模型。所提出的 TFET-CMOS 混合逻辑和 SRAM 拓扑结构在能源效率方面显著提升，同时保持与标准 CMOS 电路相当的运行速度，表明其在功率受限 AIoT 应用中具有巨大潜力。
引用
@article{arxiv.2410.12390,
title = {A Novel Energy-Efficient Salicide-Enhanced Tunnel Device Technology Based on 300mm Foundry Platform Towards AIoT Applications},
author = {Kaifeng Wang and Qianqian Huang and Yongqin Wu and Ye Ren and Renjie Wei and Zhixuan Wang and Libo Yang and Fangxing Zhang and Kexing Geng and Yiqing Li and Mengxuan Yang and Jin Luo and Ying Liu and Kai Zheng and Jin Kang and Le Ye and Lining Zhang and Weihai Bu and Ru Huang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2410.12390},
year = {2024}
}