CMOS 后道工艺兼容的铁电隧道结器件

基于二氧化铪固溶体铁电薄膜的铁电隧道结器件能够实现超低功耗铁电器件的 CMOS 集成，具有用于存储器和新兴计算方案（如存内计算和神经形态应用）的潜力。在这项工作中，我们展示了基于 Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_{2}$ 的铁电隧道结，其材料和工艺与 CMOS 后道工艺集成兼容。我们展示了一种基于 W-Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_{2}$-Al$_{2}$O$_{3}$-TiN 叠层的器件架构，其特点是在 400{\deg}C 下进行低温退火，性能可与更高温度退火条件下获得的性能相媲美。