一种CMOS兼容的氮化钪铝基铁电隧道结忆阻器
材料科学
2021-01-07 v2 介观与纳米尺度物理
强关联电子
应用物理
摘要
我们报道了一种互补金属氧化物半导体（CMOS）技术兼容的铁电隧道结忆阻器，其直接使用掺钪氮化铝作为铁电层，生长在硅衬底之上。
引用
@article{arxiv.2012.10019,
title = {A CMOS Compatible Aluminum Scandium Nitride-based Ferroelectric Tunnel Junction Memristor},
author = {Xiwen Liu and Jeffrey Zheng and Dixiong Wang and Pariasadat Musavigharavi and Eric A. Stach and Roy Olsson and Deep Jariwala},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.10019},
year = {2021}
}