受神经元启发的硅(100)柔性忆阻器件
应用物理
2017-06-20 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
全面理解世界上最高效强大的计算机——人脑，是一个难以捉摸的科学问题。尽管如此，已有的知识表明忆阻器可用作构建脑模型的基石。同时，大脑皮层折叠使得数万亿神经元集成在紧凑体积内。因此，我们报道了基于氧化铝的柔性忆阻器件，其制备并衍生自广泛使用的体单晶硅(100)。我们利用互补金属氧化物半导体工艺，为此类存储器件的大规模集成(ULSI)奠定基础，以推进理解人脑物理模型的任务。
引用
@article{arxiv.1706.05645,
title = {Neuron-inspired flexible memristive device on silicon (100)},
author = {Mohamed T. Ghoneim and Muhammad M. Hussain},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.05645},
year = {2017}
}