铁电忆阻器
材料科学
2015-06-05 v1
摘要
忆阻器是可连续调节的电阻器，模拟突触。概念化于20世纪70年代，传统上通过电压诱导的物质位移工作，但其机制仍有争议。纯电子忆阻器最近基于成熟的物理现象出现，尽管电阻变化适中。在这里，我们展示了铁电隧道势垒中电压控制的畴构型产生忆阻行为，电阻变化超过两个数量级，操作速度为10纳秒。利用铁电畴成核和生长模型，我们解释了准连续电阻变化，并推导出忆阻效应的简单解析表达式。我们的结果表明铁电体作为未来神经形态计算架构的硬件基础的新机遇。
引用
@article{arxiv.1206.3397,
title = {A ferroelectric memristor},
author = {André Chanthbouala and Vincent Garcia and Ryan O. Cherifi and Karim Bouzehouane and Stéphane Fusil and Xavier Moya and Stéphane Xavier and Hiroyuki Yamada and Cyrile Deranlot and Neil D. Mathur and Manuel Bibes and Agnès Barthélémy and Julie Grollier},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.3397},
year = {2015}
}