忆阻器电流尖峰的观测、表征与建模
材料科学
2013-12-17 v1 化学物理
摘要
自 1976 年以来，忆阻器常被比作神经元（通常特指突触），但一直缺乏实验证据支持这一观点。在此，我们强调忆阻器自然形成快速响应、高度可复现且可重复的电流尖峰，这些尖峰可用于电压驱动的神经形态架构。利用忆阻器理论轻松拟合电流尖峰，既表明尖峰是忆阻效应的一部分，也为神经形态电路的设计提供了建模能力。
引用
@article{arxiv.1302.0771,
title = {Observation, Characterization and Modeling of Memristor Current Spikes},
author = {Ella Gale and Ben de Lacy Costello and Andrew Adamatzky},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.0771},
year = {2013}
}
备注
Long version of a conference (ICNAAM 2012) paper, 16 pages, 10 figures