基于具有杂化手性纹理的垂直磁隧道结的自旋转矩忆阻器
应用物理
2019-12-02 v1
摘要
自旋转矩忆阻器于 2009 年提出，可为大密度非易失性存储与神经形态计算提供快速、低功耗且无限的忆阻行为。然而，在单一器件中同时实现高磁电阻、稳定中间态与自旋极化电流开关的严格要求给物理实现带来困难。在此，我们实验演示了一种基于具有 CoFeB/W/CoFeB 复合自由层结构的垂直各向异性磁隧道结的纳米尺度自旋转矩忆阻器。其隧穿磁电阻高于 200%，且忆阻行为可通过自旋转移转矩开关实现。忆阻态由围绕 W 原子团簇的鲁棒畴壁钉扎维持，其中纳米尺度垂直手性自旋纹理可通过两个 CoFeB 自由层之间由 Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida 相互作用引起的反向 Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用与涨落层间耦合之间的竞争而形成。该器件中还演示了尖峰时序依赖可塑性（spike-timing-dependent plasticity）。
引用
@article{arxiv.1911.12784,
title = {Spin-torque memristors based on perpendicular magnetic tunnel junctions with a hybrid chiral texture},
author = {Xueying Zhang and Wenlong Cai and Mengxing Wang and Kaihua Cao and Tianrui Zhang and Houyi Cheng and Shaoxin Li and Daoqian Zhu and Weisheng Zhao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.12784},
year = {2019}
}