面向模拟忆阻控制器的研究
最优化与控制
2014-08-01 v3
摘要
忆阻器最初于 20 世纪 70 年代被提出，自 2008 年成功合成以来受到了越来越多的关注。尽管在特定领域的建模与应用方面已开展了大量工作，但关于忆阻器在控制应用方面的潜力却知之甚少。作为纳米级可变电阻，将其用作可变增益是直观的设想。本文的主要贡献是开发了一种忆阻模拟增益控制框架，并建立了可在此框架下实施的控制策略的理论基础。模拟忆阻控制器可能应用于大型微型化设备阵列的控制中，此类场景因参数不确定性和老化问题而需要鲁棒且自适应的控制。
引用
@article{arxiv.1405.7677,
title = {Towards Analog Memristive Controllers},
author = {Gourav Saha and Ramkrishna Pasumarthy and Prathamesh Khatavkar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1405.7677},
year = {2014}
}
备注
The main inclusion in this version is a brief discussion of "Global solution of BMI Eigenvalue Problem" in Appendix B and the definition of control theoretic ideas in Appendix C