仪表放大器设计：CMOS-忆阻器与 CMOS 设计之比较

Ulzhan Bassembek; Olga Krestinskaya

仪表放大器设计：CMOS-忆阻器与 CMOS 设计之比较

新兴技术 2019-08-28 v2

作者: Ulzhan Bassembek , Olga Krestinskaya

摘要

仪表放大器(InAmp)是一种用于许多需要测试与测量精度的应用中的电子器件。然而，InAmp 的缺点之一是其有限的工作增益范围。本文中，我们研究以忆阻器件替换 InAmp 中 CMOS 晶体管的可能性。与原始设计相比，在 CMOS 仪表放大器设计中应用忆阻器减少了片上面积与功耗。基于忆阻器的 InAmp 设计实现具有改善的增益。本文展示了忆阻器应用的优势，并讨论了直流与工作增益范围。此外，提供了变异性分析以及相对于温度变化的性能变化。另外，进行了噪声灵敏度分析。而且，通过改变忆阻器的电阻电平值，可改善工作增益范围、增益精度以及噪声抑制。

关键词

仪表放大器 CMOS 忆阻器增益范围功耗变异性分析

引用

@article{arxiv.1805.07675,
  title  = {Instrumentation Amplifier design: Comparison of CMOS-memristive to CMOS design},
  author = {Ulzhan Bassembek and Olga Krestinskaya},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1805.07675},
  year   = {2019}
}

备注

the paper is no more relevant and up-to-date

仪表放大器设计：CMOS-忆阻器与 CMOS 设计之比较

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关键词

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