忆阻器对全差分跨阻放大器性能的影响
新兴技术
2018-05-22 v1
摘要
物联网（IoT）技术与应用的进展需要高效的低功耗电路与架构，以维持并提升日益增长的数据处理系统的性能。忆阻电路以及用忆阻器替代耗能器件，是减小架构片上面积与功耗的一种有前景的方案。本文中，我们提出了一种 CMOS-忆阻全差分跨阻放大器，并评估了忆阻器对放大器性能的影响。该全差分放大器采用 180nm CMOS 工艺仿真，在 1pF 负载下具有 5.3-23MHz 带宽与 2.3-5.7k 跨阻增益。我们将基于忆阻器的放大器与传统架构进行比较。文中给出了增益、频率响应、线性范围、功耗、面积、总谐波失真以及随温度变化的性能变化。
引用
@article{arxiv.1805.07738,
title = {Effects of Memristors on Fully Differential Transimpedance Amplifier Performance},
author = {Berik Argimbayev and Olga Krestinskaya and Alex Pappachen James},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.07738},
year = {2018}
}