CMOS-忆阻器混合集成像素传感器
新兴技术
2016-10-18 v1
摘要
图像分辨率的提高要求图像传感器能够在给定面积内集成更多数量的电路元件。另一方面，对传感器信号的高速处理要求像素具备执行像素级并行操作的能力。本文中，我们提出了一种改进的 3T 和 4T CMOS 宽动态范围像素，我们称之为 2T-M 和 3T-M 配置，其由 MOSFET 和忆阻器组成。忆阻器的低漏电流和小面积有助于实现减小面积的目标，而在芯片内不同层上创建忆阻器和 MOSFET 阵列的可能性，则确保了缩放电路架构的可行性。
引用
@article{arxiv.1610.04705,
title = {CMOS-Memristor Hybrid Integrated Pixel Sensors},
author = {Kamilya Smagulova and Aigerim Tankimanova and Alex Pappachen James},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.04705},
year = {2016}
}
备注
to appear in Proceedings of IEEE International Symposium on Nanoelectronic and Information Systems, December 19-21, Gwalior, India