忆阻器 MOS 内容可寻址存储器 (MCAM)：面向未来高性能搜索引擎的混合架构
介观与纳米尺度物理
2015-03-17 v1
摘要
大容量内容可寻址存储器 (CAM) 是广泛应用中的关键元件。缩放 MOS 晶体管不可避免的复杂性给此类系统的实现带来了重大挑战。与 CMOS 工艺兼容的不同技术的融合，可能使摩尔定律再延续几年。本文提供了一种基于忆阻器（记忆电阻）的内容可寻址存储器 (MCAM) 设计与建模新方法，该方法使用忆阻器 MOS 器件的组合来构成存储/比较逻辑单元的核心，该单元是 CAM 架构的基本构建模块。忆阻器的非易失特性和纳米级几何尺寸，及其与 CMOS 工艺技术的兼容性，提高了封装密度，通过在不丢失存储数据的情况下禁用 CAM 模块，为电源管理提供了新途径，降低了功耗，并且随着技术的成熟，还有提升速度的空间。
引用
@article{arxiv.1005.3687,
title = {Memristor MOS Content Addressable Memory (MCAM): Hybrid Architecture for Future High Performance Search Engines},
author = {Kamran Eshraghian and Kyoung Rok Cho and Omid Kavehei and Soon-Ku Kang and Derek Abbott and Sung-Mo Steve Kang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1005.3687},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 11 figures