用于忆阻器存储器的混合交叉开关架构
硬件体系结构
2013-04-10 v2
摘要
本文提出了一种新的忆阻器交叉开关架构，旨在用于高密度缓存设计。该设计的写入能耗不到简单忆阻器交叉开关的 10%。此外，其位密度高达 STT-MRAM 系统的 4 倍，以及 SRAM 架构的 11 倍。我们利用详细的 SPICE 分析对该架构进行了评估，该分析计入了忆阻器结构中导线的电阻。此外，本工作中使用的忆阻器模型已与特定的器件表征数据相匹配，从而在能耗、面积和时序方面提供了准确的结果。
引用
@article{arxiv.1302.6515,
title = {Hybrid Crossbar Architecture for a Memristor Based Memory},
author = {Chris Yakopcic and Tarek M. Taha},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.6515},
year = {2013}
}