一种离子嵌入型存储器用于实现交叉栏网络的全并行写入
系统与控制
2026-02-10 v3 系统与控制
摘要
交叉栏架构长期被视为面向原子计算的理想基础，利用存储器阵列实现高密度、低能耗的类比计算。然而，这一常规架构存在根本性局限：无法进行并行写入操作，由于隧道路径问题的发生。这源于读写路径的结构性重叠，迫使顺序或准并行更新，从而严重限制了可扩展性。为此，我们引入一种新的存储器设计，通过在器件层面解耦读写操作。该设计实现了正交导电路径，并采用受锂离子电池原理启发的可逆离子掺杂机制，独立于计算来调制电阻状态。制造的器件表现出近乎理想的存储器特性，在孤立的读写条件下表现稳定。
引用
@article{arxiv.2601.14613,
title = {An Ion-Intercalation Memristor for Enabling Full Parallel Writing in Crossbar Networks},
author = {Tingwei Zhang and Jiahui Liu and David Allstot and Huaping Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2601.14613},
year = {2026}
}