面向多读取场景的阻性存储器量化设计
信息论
2024-10-08 v1 math.IT
摘要
由于交叉栏阵列结构，隐蔽路径问题严重降低了阻性随机存取存储器(ReRAM)的数据完整性。本文研究针对多读取场景下ReRAM阵列的信道量化器设计，这是一种典型的技术，用于提高数据存储系统的数据恢复性能。首先，基于多读取的量化信道模型，我们推导了一种用于单比特和多比特量化的通用信道量化器设计方法。随后，我们聚焦于单比特量化，因为这在ReRAM的实际应用中具有高度适用性。特别地，我们提出了一种用于设计多读取单比特量化器的半解析方法，计算复杂度更低。我们还推导了最优单比特检测器/量化器的理论比特错误概率作为基准。结果表明，多读取操作在提高ReRAM的错误率性能方面是有效的。此外，我们提出的多读取检测器优于现有方法，达到了最优检测器的性能。
引用
@article{arxiv.2410.05135,
title = {Quantization Design for Resistive Memories With Multiple Reads},
author = {Zhen Mei and Kui Cai and Long Shi and Jun Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2410.05135},
year = {2024}
}