关于阻变存储器：单行读取技术与感测电路
新兴技术
2019-03-06 v1 硬件体系结构
摘要
基于晶体管的存储器正迅速接近其单位面积最大密度。阻变交叉阵列因开关器件尺寸小而可实现更密集的存储。然而，由于这些存储器的阻性本质，它们受到电流潜行路径的困扰，使读取过程复杂化。本文提出一种带电路的行读取技术，可用于读取无选择器件的阻变交叉阵列存储器。需要高吞吐量的读写技术以克服存储墙瓶颈问题并实现近内存计算范式。所提技术可在单个周期内读取密集交叉阵列的整行，不同于先前发表的技术。文中讨论并满足了读取电路的要求。此外，推导了读取阵列时功耗的近似表达式。定义了一项品质因数并用于将该方法与现有读取技术进行比较。最后，定量分析了偏置失配对阵列尺寸的影响。
引用
@article{arxiv.1903.01512,
title = {On Resistive Memories: One Step Row Readout Technique and Sensing Circuitry},
author = {Mohammed E Fouda and Ahmed M. Eltawil and Fadi Kurdahi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.01512},
year = {2019}
}