一种用于 MRAM 的动态偏置优化读裕度增强电路
信号处理
2023-09-19 v1
摘要
本简报介绍一种读偏置电路,用于提升磁性随机存取存储器(MRAM)的读出良率。提出一种动态偏置优化(DBO)电路,能够在 MRAM 阵列内跨工艺-电压-温度(PVT)变化实时跟踪最优读电压。该电路通过动态调整读偏置电压以最大化传感裕度,从而优化读性能。基于 28 nm 1 Mb MRAM 宏的仿真结果表明,即便最优传感电压变化高达 50%,所提 DBO 电路的跟踪精度仍保持在 90% 以上。这种动态跟踪策略进一步使不同变化下的误码率降低达两个数量级,凸显了其在增强 MRAM 性能与可靠性方面的有效性。
引用
@article{arxiv.2309.09797,
title = {A Read Margin Enhancement Circuit with Dynamic Bias Optimization for MRAM},
author = {Renhe Chen and Albert Lee and Zirui Wang and Di Wu and Xufeng Kou},
journal= {arXiv preprint arXiv:2309.09797},
year = {2023}
}