MLC NAND 闪存的动态写入电压设计与读取电压优化
信号处理
2022-09-07 v1
摘要
为减轻噪声和干扰对采用低密度奇偶校验 (LDPC) 码的多级单元 (MLC) 闪存的影响，我们提出一种考虑原始误码率 (RBER) 非对称特性的动态写入电压设计方案，其可通过最小化代价函数获得最优写入电压。为进一步改善闪存的解码性能，我们提出一种低复杂度的基于熵的读取电压优化方案，该方案通过对数似然比 (LLR) 感知的代价函数搜索最优熵值来推导读取电压。仿真结果证明了我们所提动态写入电压设计方案和读取电压优化方案相对于现有同类方案的优越性。
引用
@article{arxiv.2209.01424,
title = {Dynamic Write-Voltage Design and Read-Voltage Optimization for MLC NAND Flash Memory},
author = {Runbin Cai and Yi Fang and Zhifang Shi and Lin Dai and Guojun Han},
journal= {arXiv preprint arXiv:2209.01424},
year = {2022}
}
备注
12 pages, 6 figures, submitted to China Communication