用于闪存存储器的秩调制重写编码
信息论
2015-01-05 v2 math.IT
摘要
当前的闪存技术侧重于最小化其静态存储容量的成本。然而，由此产生的方法支持的编程 - 擦除循环次数相对较少。该技术对于编程 - 擦除循环次数较少的消费类设备（例如智能手机和相机）是有效的。然而，对于需要大量生命周期写入的企业存储系统而言，它并不经济。本文提出的缓解此问题的方法包括有效整合两个关键思想：(i) 通过秩调制方案利用相对值表示信息，从而提高可靠性和耐久性；(ii) 通过重写代码（即在擦除之前对每个单元执行多次写入）来增加闪存设备的整体（生命周期）容量。本文提出了一种结合秩调制与重写的新型编码方案。新方案的主要优势包括：(i) 能够在每次写入时在每个单元中存储接近 2 比特的信息，同时对存储器寿命的影响最小；(ii) 高效的编码和解码算法，利用了最近提出的达到容量极限的只写一次存储器 (WOM) 代码。
引用
@article{arxiv.1312.0972,
title = {Rank-Modulation Rewrite Coding for Flash Memories},
author = {Eyal En Gad and Eitan Yaakobi and Anxiao and Jiang and Jehoshua Bruck},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.0972},
year = {2015}
}
备注
Revised version for IEEE transactions on Information Theory