利用写入电压的动态分配延长闪存寿命
信息论
2016-10-13 v2 math.IT
摘要
闪存单元的读取信道在反复的编程与擦除（P/E）操作后会退化。这种退化通常被建模为 P/E 循环次数的函数。相比之下，本文将退化建模为写入和擦除单元电荷累积效应的函数。基于此建模方法，本文通过在器件寿命初期使用较低的写入阈值并在需要时增加阈值，以在退化面前维持读取信道的互信息，从而动态分配电压。本文首先在理想化设定中引入该技术，随后移除关于信道知识和可用电压分辨率的理想假设，最终提出了一种性能接近理想化设定的实用方案。
引用
@article{arxiv.1609.01816,
title = {Using Dynamic Allocation of Write Voltage to Extend Flash Memory Lifetime},
author = {Haobo Wang and Nathan Wong and Tsung-Yi Chen and Richard D. Wesel},
journal= {arXiv preprint arXiv:1609.01816},
year = {2016}
}
备注
13 pages, 11 figures. Accepted by IEEE Transactions on Communications