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通过恒定互信息的动态电压分配延长闪存寿命

信息论 2014-03-19 v1 math.IT

摘要

闪存系统中的读通道随时间退化,因为用于向浮栅施加电荷的福勒-诺德海姆隧穿最终会因隧道氧化物退化而损害单元的完整性。虽然退化通常以单元经历的编程/擦除周期数来衡量,但退化与被迫进入浮栅并在擦除过程中释放的电子数量成正比。通过管理写入浮栅的电荷量以保持恒定的读通道互信息,可以延长闪存寿命。本文提出了一种基于信息论的整体系统方法,以延长闪存设备的寿命。利用有噪闪存通道的瞬时存储容量,我们的方法在闪存单元随时间逐渐磨损时动态分配其读电压。还提出了一种基于多次读取存储单元软信息的瞬时容量实用估计方法。

关键词

引用

@article{arxiv.1403.4333,
  title  = {Increasing Flash Memory Lifetime by Dynamic Voltage Allocation for Constant Mutual Information},
  author = {Tsung-Yi Chen and Adam R. Williamson and Richard D. Wesel},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1403.4333},
  year   = {2014}
}

备注

5 pages. 5 figures