多层石墨烯纳米带闪存：编程与擦除操作分析
介观与纳米尺度物理
2016-11-15 v1
摘要
基于浮栅晶体管的闪存是现代微电子应用中最广泛使用的存储器技术。我们最近提出了一种基于多层石墨烯纳米带(MLGNR)和碳纳米管(CNT)的浮栅晶体管设计，用于未来的纳米级闪存技术。在本文中，我们分析了所提出的石墨烯-CNT浮栅晶体管中的隧穿电流机制。我们预期所提出的浮栅晶体管在其编程和擦除操作中会采用 Fowler-Nordheim (FN) 隧穿。在本文中，我们研究了隧穿电流的机制以及影响该电流和所提出的浮栅晶体管行为的因素。分析表明，FN隧穿是控制栅极引起的高电场的强函数，并且取决于控制氧化物和隧穿氧化层的厚度。
引用
@article{arxiv.1508.02590,
title = {Multilayer Layer Graphene Nanoribbon Flash Memory: Analysis of Programming and Erasing Operation},
author = {Nahid M. Hossain and Md Belayat Hossain and Masud H. Chowdhury},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.02590},
year = {2016}
}
备注
in IEEE SOCC, Las Vegas, USA, 2014