基于 NAND-SPIN 器件的擦除隐藏且驱动能力改善的磁性非易失触发器
新兴技术
2020-07-15 v2 信号处理
摘要
采用电源门控技术的非易失触发器（NVFF）有望克服 CMOS 工艺缩放带来的泄漏功耗急剧上升问题。磁隧道结（MTJ）因其低功耗、高速、良好 CMOS 兼容性等优点，是构建 NVFF 的良好候选。本文中，我们提出一种基于新兴存储器件 NAND-SPIN 的新型磁性 NVFF。NAND-SPIN 的数据写入通过依次施加两路单向电流实现，分别产生用于擦除和编程操作的自旋轨道矩（SOT）与自旋转移矩（STT）。该特性使我们能够设计擦除隐藏且驱动能力改善的磁性 NVFF。此外，由于所提 NVFF 的备份操作不受固有从锁存器限制，可获得更大设计灵活性。仿真结果表明，与传统的从锁存器驱动的 SOT-NVFF 设计相比，我们所提 NVFF 在功耗、延迟和面积方面均实现性能提升。
引用
@article{arxiv.1912.06986,
title = {Erase-hidden and Drivability-improved Magnetic Non-Volatile Flip-Flops with NAND-SPIN Devices},
author = {Ziyi Wang and Zhaohao Wang and Yansong Xu and Bi Wu and Weisheng Zhao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1912.06986},
year = {2020}
}
备注
This article has been accepted in a future issue of IEEE Transactions on Nanotechnology: Regular Papers