纳米线易失性 RAM 作为 SRAM 的替代方案
新兴技术
2014-04-03 v1
摘要
由于制造复杂性的增加和不必要的静态功耗耗散，维持 CMOS 技术缩放的优势正变得具有挑战性。这在 SRAM 中尤为具有挑战性，其中制造精度和漏功耗控制是关键问题。为了缓解其中一些挑战，提出了一种名为纳米线易失性 RAM (NWRAM) 的新型非易失性存储器作为 SRAM 的替代方案。由于 NWRAM 基于规则网格的布局和创新电路风格，制造复杂性得以降低，同时在性能和漏功耗降低方面获得了显著优势。在本文中，我们进一步阐述了 NWRAM 的电路方面和可制造性，并通过与最先进的 6T-SRAM 和网格化 8T-SRAM 设计的仿真对比，量化了其在 16nm 技术节点的优势。我们的结果表明，与高性能网格化 8T-SRAM 设计相比，10T-NWRAM 的速度快了 倍，漏功耗性能提高了 倍。
引用
@article{arxiv.1404.0615,
title = {Nanowire Volatile RAM as an Alternative to SRAM},
author = {Mostafizur Rahman and Santosh Khasanvis and Csaba Andras Moritz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1404.0615},
year = {2014}
}