基于第一性原理-TCAD 仿真框架的 FinFET 与纳米线 SRAM 辐射加固研究
材料科学
2022-03-09 v1
摘要
本文研究了 5nm 节点 FinFET 与纳米线（栅长 20nm）及其相应 SRAM 在辐射下的易损性。使用第一性原理工具 SRIM、PHITS 和 GEANT4 来求得中子与 α 粒子在硅和硅锗中的线性能量转移（LET）。随后使用技术计算机辅助设计（TCAD）来寻找 FinFET、纳米线及其 SRAM 中最易受损的入射位置与方向。采用了可研究 SRAM 中版图效应的全三维 TCAD 仿真。研究发现，就翻转能量而言，纳米线（NW）比 FinFET 鲁棒约 2–3 倍。基于第一性原理-TCAD 框架的仿真，预计有可能设计出对 α 粒子免疫的 NW SRAM。若考虑设计-技术协同优化（DTCO），还期望 SRAM 可被优化以获得更强的辐射硬度。
引用
@article{arxiv.2202.13769,
title = {FinFET and Nanowire SRAM Radiation Hardness Studies using Ab initio-TCAD Simulation Framework},
author = {Johan Saltin and Adam Elwailly and Hiu Yung Wong},
journal= {arXiv preprint arXiv:2202.13769},
year = {2022}
}
备注
5 pages, 8 figures, 2 tables, Government Microcircuit Applications And Critical Technology (GOMACTech) Conference, 2021