界面粗糙度散射对硅纳米线晶体管射频性能的影响
介观与纳米尺度物理
2015-06-03 v1 计算物理
摘要
本文分析了n型硅纳米线晶体管（SiNWT）中原子级界面粗糙度对射频性能的影响。基于sp3d5s*紧束缚模型的三维全带量子输运模拟，对界面粗糙度散射（IRS）进行了统计研究。当SiNWT的直径按比例缩小至3 nm以下时，IRS导致截止频率显著降低。粗糙表面引起的导带边波动通过模式失配导致电子反射。该效应降低了电子速度，从而大幅降低了跨导，导致截止频率降低。
引用
@article{arxiv.1111.3424,
title = {Effects of Interface Roughness Scattering on Radio Frequency Performance of Silicon Nanowire Transistors},
author = {SungGeun Kim and Mathieu Luisier and Timothy B. Boykin and Gerhard Klimeck},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.3424},
year = {2015}
}