半导体异质结构的原子尺度洞察：从界面的实验三维分析到界面粗糙度散射的广义理论
材料科学
2020-04-29 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们发展了一种适用于任意半导体异质结构的、由界面粗糙度对载流子产生的散射过程的广义理论。通过利用原子探针层析术获得的 Ge/GeSi 异质界面三维原子构型的实验洞察，我们得以定义与散射势相关的完整界面参数集合，包括真实漫散界面内的面内与轴向关联。我们的实验结果表明，界面粗糙度在界面内沿生长方向具有部分相干性。我们指出，当考虑具有有限界面宽度的异质界面时，有必要纳入这一此前被理论模型忽略的特征。
引用
@article{arxiv.2002.00851,
title = {Atomic-scale insights into semiconductor heterostructures: from experimental three-dimensional analysis of the interface to a generalized theory of interface roughness scattering},
author = {T. Grange and S. Mukherjee and G. Capellini and M. Montanari and L. Persichetti and L. Di Gaspare and S. Birner and A. Attiaoui and O. Moutanabbir and M. Virgilio and M. De Seta},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.00851},
year = {2020}
}