具有扩散界面的n型和p型Si/SiGe量子阱中的子带间载流子散射
介观与纳米尺度物理
2009-08-06 v1
摘要
二维Si/SiGe系统中的散射率计算通常局限于层间界面处的矩形Ge分布。然而，实际界面可能由于设计或生长过程的限制而表现出扩散的Ge分布。这里表明，在(100)和(111) n型量子阱中，合金无序散射随Ge互扩散急剧增加，但在(100) p型异质结构中几乎保持不变。还表明，限制势的平滑导致子带能量和散射率的巨大变化，并给出了一种计算生长过程公差的方法。
引用
@article{arxiv.0908.0552,
title = {Intersubband carrier scattering in n- and p-Si/SiGe quantum wells with diffuse interfaces},
author = {A. Valavanis and Z. Ikonić and R. W. Kelsall},
journal= {arXiv preprint arXiv:0908.0552},
year = {2009}
}
备注
8 pages, 8 figures