$Si_{1-x}Ge_{x}$中合金散射的原子论方法

Saumitra R Mehrotra; Abhijeet Paul; Gerhard Klimeck

doi:10.1063/1.3583983

$Si_{1-x}Ge_{x}$中合金散射的原子论方法

介观与纳米尺度物理 2011-04-29 v3 原子与分子团簇

作者: Saumitra R Mehrotra , Abhijeet Paul , Gerhard Klimeck

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摘要

随着应变层和SiGe沟道被引入CMOS技术，SiGe合金散射变得非常重要。然而，迄今为止，合金散射一直通过拟合参数以经验方式处理。我们提出了一个基于原子论紧束缚表示的SiGe合金散射理论模型。该方法将散射模型建立在坚实的原子论基础上，并提供了物理洞察。结果表明，该方法能够固有地捕获n型和p型载流子的体合金散射势参数，并与实验迁移率数据吻合。

关键词

合金散射 SiGe 紧束缚原子论模型迁移率 CMOS

引用

@article{arxiv.1102.4805,
  title  = {Atomistic approach to alloy scattering in $Si_{1-x}Ge_{x}$},
  author = {Saumitra R Mehrotra and Abhijeet Paul and Gerhard Klimeck},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1102.4805},
  year   = {2011}
}

备注

3 pg 3 figures

$Si_{1-x}Ge_{x}$中合金散射的原子论方法

摘要

关键词

引用

备注

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