拉曼散射在研究 SiGe 层应变分布中的应用
材料科学
2007-05-23 v3
摘要
本文主要提出一种新的简单、高效、无损的拉曼散射分析方法，用于研究 SiGe 合金薄膜中的应变分布。该方法可以同时测定 SiGe 薄膜的 Ge 组分分数 x 和应变。我们使用 Ar+ 激光线（514.5、488 和 457.9 nm）来探测 SiGe 层不同深度的信息。结果表明，Si1-xGex 的 x 值（约 0.50）和薄膜的应变从 SiGe 层与 Si 衬底之间的界面到 SiGe 表面逐渐减小。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/9905175,
title = {Application of Raman Scattering to Study the Strain Distribution in SiGe Layers},
author = {Zhongwei Pan and Richard Chin},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9905175},
year = {2007}
}
备注
3 pages, 4 figures, 1 table