Ga(Al, In)N合金X射线衍射表征实用指南
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
Ga(In, Al)N合金被用作发光二极管和激光二极管中的有源层或包覆层。X射线衍射被广泛用于评估Ga(Al,In)N薄膜的晶体质量、化学成分和残余应变，这些因素直接决定了发射波长和器件性能。由于Ga(Al,In)N合金与GaN虚拟衬底之间的晶格参数存在微小失配，X射线衍射在分离Ga(Al,In)N合金和GaN的信号时遇到了问题。我们对不同的衍射面进行了详细比较。为了平衡Ga(Al,In)N合金与GaN之间的强度和峰分离度，(0004)面和(1015)面分别是对称扫描和非对称扫描的最佳选择。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0510174,
title = {A Practical Guide for X-Ray Diffraction Characterization of Ga(Al, In)N Alloys},
author = {Zhou Sheng-Qiang and Wu Ming-Fang and Yao Shu-De},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0510174},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 5 figures