偏切蓝宝石衬底上生长的InxGa1-xN/GaN外延层的结构与光学性质
材料科学
2019-02-19 v1
摘要
我们报道了InGaN/GaN薄膜的结构与光学性质，其表面与(0001)晶面存在0.46°的偏差，该薄膜通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长在0.34°偏切蓝宝石衬底上。采用X射线衍射与X射线反射术精确测量了偏切程度。利用倒易空间映射确定了InGaN层的晶格参数与应变状态。采用沟道卢瑟福背散射谱对其组分与晶体质量进行了深度分辨测量。未观察到应变各向异性。进行了偏振依赖的光致发光光谱以考察偏切对外延层带边发射的影响。
引用
@article{arxiv.1902.06592,
title = {structural and optical properties of InxGa1-xN/GaN epilayers grown on a miscut sapphire substrate},
author = {I. A. Ajia and S. M. C. Miranda and N. Franco and E. Alves and K. Lorenz and K. P. O'Donnell and I. S. Roqan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.06592},
year = {2019}
}