在邻晶面 4H-SiC(0001) 衬底上生长的 GaN 的应变弛豫
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
我们通过 X 射线衍射 (XRD)、拉曼散射和阴极发光 (CL) 研究了在三个邻晶面 4H-SiC 衬底（从 [0001] 向 [11-20] 轴方向偏离 0、3.4 和 8 度）上通过金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 生长的 GaN 层的应变。针对每个偏切角分析了应变弛豫机制。在微观尺度上，生长在正轴衬底上的 GaN 层由于穿透位错在整个表面均匀分布，具有轻微且均匀的面内拉伸应力。生长在偏切衬底上的 GaN 层出现裂纹，将具有更强面内拉伸应力但弹性应变更大的区域分隔开。这些层中涉及的塑性弛豫机制归因于在取向错误表面上的台阶流生长（位错和层错）以及冷却过程中额外热弹性应力的宏观塑性释放（裂纹）。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0702491,
title = {Strain relaxation in GaN grown on vicinal 4H-SiC(0001) substrates},
author = {Julien Pernot and Etienne Bustarret and Mariusz Rudzinski and Paul R. Hageman and Poul K. Larsen},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0702491},
year = {2007}
}