Ge/Si(001) 衬底上 GeSn 外延层的应变弛豫调控
应用物理
2018-10-17 v1
摘要
本文报道了一种控制通过分子束外延在 Ge/Si(001) 衬底上生长的 GeSn 外延层应变弛豫程度的机制。研究表明，通过适当控制底层 Ge 缓冲层的厚度与生长工艺，可在无显著 Sn 分凝的情况下获得完全应变与高度弛豫的 GeSn 外延层。GeSn 外延层的应变弛豫由 Ge 缓冲层的穿层位错介导，这些位错穿过 Ge-GeSn 界面传播。利用 Benediktovich 等人 [A. Benediktovitch, A. Zhylik, T. Ulyanenkova, M. Myronov, A. Ulyanenkov (2015), J. Appl. Cryst. 48, 655-665] 提出的方法对合金外延层与 Ge 缓冲层中的穿层位错密度进行系统估算，支持了这一观察，并揭示在 Ge-GeSn 界面处未产生额外位错。结合近期报道的抑制 GeSn 外延层中 dislocation 传播的技术，这些结果对于实现高度弛豫的 GeSn 外延层（GeSn 基发光器件开发所亟需）极为有利。
引用
@article{arxiv.1807.09718,
title = {Engineering strain relaxation of GeSn epilayers on Ge/Si(001) substrates},
author = {Krista R Khiangte and Jaswant S Rathore and Vaibhav Sharma and Apurba Laha and Suddhasatta Mahapatra},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.09718},
year = {2018}
}