Ge/GeSn 核/壳纳米线中的应变工程
应用物理
2019-09-16 v1 材料科学
摘要
富 Sn 的 IV 族半导体中的应变工程是开发中红外波长直接带隙的关键使能因素。在此，我们研究应变对 Ge/GeSn 核/壳纳米线几何结构中 GeSn 合金生长的影响。在 Ge 核直径 50nm 至 100nm 范围内实现了 10-20 at.% 的 Sn 含量掺入。较小核导致规则且均匀的 GeSn 壳形成，而较大核导致多面体侧壁和拓宽的偏析域形成，诱发缺陷成核。该行为可通过实际有限元方法模拟得到的不同残余应变加以解释。对随核与壳尺寸变化的应变弛豫的扩展分析，并与传统平面几何比较，增进了对应变在亚稳 GeSn 半导体外延中作用的理解。
引用
@article{arxiv.1905.12671,
title = {Strain engineering in Ge/GeSn core/shell nanowires},
author = {Simone Assali and Marco Albani and Roberto Bergamaschini and Marcel A. Verheijen and Ang Li and Sebastian Kölling and Luca Gagliano and Erik P. A. M. Bakkers and Leo Miglio},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.12671},
year = {2019}
}