解耦成分与应变对 GeSn 振动模式的影响
材料科学
2020-06-08 v1
摘要
我们报道了利用拉曼散射光谱研究 GeSn 半导体中类 Ge-Ge、Ge-Sn、Sn-Sn 及无序激活振动模式的行为。通过使用接近 E1 间隙的激发波长，所有模式均被清晰分辨，并确定了它们随应变和 Sn 含量演变的规律。为了解耦含量与应变的单独贡献，分析在 Sn 含量范围为 5-17at.% 的一系列假同晶和外延弛豫层上进行。发现所有振动模式随含量和应变表现出相同的定性行为，即随着 Sn 含量增加或压应变弛豫而发生线性红移。同时，Ge-Sn 和 Ge-Ge 峰宽化，且后者变得越来越不对称。这种不对称性与峰位置相结合，被用于一种经验方法，以从拉曼光谱中准确量化 Sn 成分和晶格应变。
引用
@article{arxiv.1901.00436,
title = {Decoupling the effects of composition and strain on the vibrational modes of GeSn},
author = {Étienne Bouthillier and Simone Assali and Jérôme Nicolas and Oussama Moutanabbir},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.00436},
year = {2020}
}