Ge1-xSnx/Ge 外延层中的局域合金有序性
材料科学
2023-08-14 v2
摘要
合金中原子的局域有序性直接对其电子和光学性质产生强烈影响。这在非随机合金中尤为相关，特别是若它们采用远离平衡态的工艺沉积，如外延 Ge1-xSnx 层的情况。在本工作中，我们利用偏振依赖拉曼光谱和密度泛函理论计算，研究了 Sn 含量在 5–14% 范围内的光电级 Ge1-xSnx 外延层中 Ge 和 Sn 原子的排布。对平行和垂直构型中偏振依赖光谱的透彻分析使我们能够恰当地标记所有观察到的振动模式，并阐明与无序辅助拉曼跃迁相关的模式。事实上，借助大规模原子模拟，我们能够突出 Sn 原子的存在如何改变 Ge 原子的局域环境，从而在的不同拉曼位移处产生两个光谱特征，对应于原子键的畸变。该分析为推进对 Ge1-xSnx 合金振动性质的理解提供了有价值的框架，尤其关于不同原子物种局域有序性的影响。
引用
@article{arxiv.2305.06005,
title = {Local Alloy Order in a Ge1-xSnx/Ge Epitaxial Layer},
author = {Agnieszka Anna Corley-Wiciak and Shunda Chen and Omar Concepción and Marvin Hartwig Zoellner and Detlev Grützmacher and Dan Buca and Tianshu Li and Giovanni Capellini and Davide Spirito},
journal= {arXiv preprint arXiv:2305.06005},
year = {2023}
}
备注
20 pages, 10 figures, Accepted Manuscript of a Published Paper in Physical Review