外延 ScGaN 薄膜的电子结构与局部畸变
材料科学
2014-05-20 v1
摘要
利用高分辨荧光探测 X 射线吸收光谱和密度泛函理论计算，研究了 x ≤ 0.059 的外延纤锌矿结构 ScGaN 薄膜中 Sc 的局部键合与电子结构。研究发现 Sc 原子取代了 Ga 原子，并伴随着局部畸变，涉及 Sc 原子周围内部晶格参数 u 的增加。Sc 处的局部键合和电子结构受薄膜应变状态或缺陷微观结构的影响不大。这些数据与关于稀 ScGaN 合金电子结构的理论预测一致。
引用
@article{arxiv.1403.8007,
title = {Electronic structure and local distortions in epitaxial ScGaN films},
author = {S. M. Knoll and M. Rovezzi and S. Zhang and T. B. Joyce and M. A. Moram},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.8007},
year = {2014}
}
备注
7 pages, 8 figures