通过外延应变调控 Sr2IrO4 薄膜的电子结构
强关联电子
2013-09-09 v2 材料科学
超导电性
摘要
我们在多种衬底上合成了外延 Sr2IrO4 薄膜，并研究了其电子结构随晶格应变的变化。在拉伸（压缩）应变下，预期 Ir-O-Ir 键角增大（减小）会导致电子带宽增加（减小）。然而，我们观察到靠近 0.5 eV 和 1.0 eV 的两个光吸收峰在拉伸（压缩）应变下向更高（更低）能量移动，表明电子关联能也受到面内晶格应变的影响。在晶格修饰下对电子结构的有效调控，为强自旋轨道耦合与电子关联共存所驱动的物理机制提供了重要见解。
引用
@article{arxiv.1302.0918,
title = {Tuning electronic structures via epitaxial strain in Sr2IrO4 thin films},
author = {J. Nichols and J. Terzic and E. G. Bittle and O. B. Korneta and L. E. De Long and J. W. Brill and G. Cao and S. S. A. Seo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.0918},
year = {2013}
}
备注
9 pages, 5 figures, 1 table