外延应变下 Sr$_2$IrO$_4$ 的电子结构与光学性质
材料科学
2019-02-01 v3
摘要
我们利用密度泛函方法研究了强自旋轨道耦合的 SrIrO 在外延应变下电子结构的改变。结构优化表明,应变改变了 Ir-O-Ir 键角等内部结构参数,这对能带结构有重要影响。一个有趣的预言是价带顶随应变发生 X 交叉,而 M 点处的导带底保持不变。这进而表明空穴掺杂体系的输运性质具有强烈的应变依赖性,但电子掺杂体系则不然。取未应变情况下 分离的实验值,我们预言价带顶的 X 交叉将在拉伸外延应变 时发生。我们建立了 子空间内的最小紧束缚模型来描述能带结构的主要特征。利用密度泛函理论计算了外延应变下的光学吸收谱,其解释了观测到的随入射光偏振的光学谱各向异性。我们表明,Ir(d) 态之间被偶极禁戒的光学跃迁,可以用 Ir(p) 轨道与 Ir(d) 能带的混合来解释。
引用
@article{arxiv.1802.09719,
title = {Electronic structure and optical properties of Sr$_2$IrO$_4$ under epitaxial strain},
author = {Churna Bhandari and Zoran S. Popović and S. Satpathy},
journal= {arXiv preprint arXiv:1802.09719},
year = {2019}
}
备注
15 figures