Sr2-xIrO4中的临界点及深层Sr空位诱导的畸变较小的IrO6八面体
强关联电子
2019-01-07 v1
摘要
对于Sr2-xIrO4体系，近期工作指出了临界点附近异常的电子与磁学性质。在此，为理解Sr空位对自旋轨道耦合Mott绝缘体Sr2IrO4的影响，我们利用X射线吸收谱(XAS)研究了Sr2-xIrO4体系的电子结构与局域结构畸变。通过比较Ir L2,3边X射线吸收近边结构(XANES)中白线特征的强度，我们观察到在临界点附近分支比突然上升。对Ir L3边扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)及计算数据的进一步分析表明，分支比的突增与深层Sr空位诱导的畸变较小的IrO6八面体密切相关，这反过来改变了自旋轨道耦合(SOC)与晶体电场(CEF)的相对强度，从而决定了临界点附近电子与磁结构的异常行为。
引用
@article{arxiv.1610.09817,
title = {A critical point in Sr2-xIrO4 and less distorted IrO6 octahedra induced by deep Sr-vacancies},
author = {Jie Cheng and Shengli Liu and Bin Li and Haiyun Wang and Yu Wang and Wei Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.09817},
year = {2019}
}
备注
18 pages, 5 figures. arXiv admin note: text overlap with arXiv:1610.09839