Sr空位自旋轨道耦合诱导的Mott绝缘体Sr2-xIrO4的晶体结构和物理性质
强关联电子
2016-11-09 v1
摘要
通过固相反应法合成了一系列Sr2-xIrO4多晶样品。该掺杂体系的晶体结构可以基于5d电子的扩展性质和Sr2-xIrO4中的锶空位来解释。对这些样品电阻随温度变化的分析揭示了半导体特征：在低于120K的温度下观察到三维变程跳跃行为，在140K至200K的中间温度范围内为Arrhenius型，在220K至300K的高温下为二维（2D）弱局域化。相应地，在x小于0.30的范围内，温度依赖的磁性可以用反铁磁有序自旋系统来描述。
引用
@article{arxiv.1610.09598,
title = {Crystal structure and physical properties of the Sr-vacant spin-orbit-coupling induced Mott insulator Sr2-xIrO4},
author = {Jimei Kong and S. L. Liu and Jie Cheng and Haiyun Wang and Xing ao Li and Z. H. Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.09598},
year = {2016}
}
备注
18 pages, 6 figures