通过 ZnSe/ZnTe 纳米异质结构中的外延应变调控电子结构
材料科学
2015-07-14 v2
摘要
利用第一性原理计算，我们研究了外延应变对 ZnSe/ZnTe 纳米异质结构电子结构变化的影响。利用赝晶 ZnSe/ZnTe 异质结构对各类外延应变进行建模。我们发现，通过合理水平的外延应变，可以以可控方式在异质结构中获得广泛的带隙（覆盖可见太阳光谱）和带偏移（0-1.5 eV）。除了量子限制效应外，ZnSe/ZnTe 异质结构中的应变可被视为能够实现光电器件理性设计的强大自由度。
引用
@article{arxiv.1505.01217,
title = {Controlling Electronic Structure Through Epitaxial Strain in ZnSe/ZnTe Nano-heterostructures},
author = {Satyesh Kumar Yadav and Vinit Sharma and Rampi Ramprasad},
journal= {arXiv preprint arXiv:1505.01217},
year = {2015}
}