应变对钴基配位纳米片电子性质的影响
材料科学
2025-10-07 v1
摘要
我们利用第一性原理计算从理论上研究了应变对钴基苯六硫醇配位纳米片电子性质的影响。探讨了两类不同的晶体结构：高密度结构（HDS）和低密度结构（LDS）。我们的结果表明，HDS 表现为金属特性，而 LDS 表现为半导体特性。自旋极化能带结构突显了 Kagome 晶格能带结构的存在，且自旋轨道耦合（SOC）的引入导致了高对称 K 点处的带隙打开。此外，我们构建了紧束缚模型以研究 CoBHT 的拓扑性质，展示了由内禀 Berry 曲率驱动的反常霍尔电导率。本文还研究了单轴应变对 CoBHT 电子和磁性质的影响。应变引起了磁矩和态密度的显著改变，尤其是在 HDS 中。在空穴掺杂条件下反常霍尔电导率得到增强，这表明应变可用于调整 CoBHT 的电子性质以适应特定应用。我们的发现突显了 CoBHT 纳米片通过应变工程实现可调性质，在下一代电子、光电子和催化器件中的应用潜力。
引用
@article{arxiv.2510.03549,
title = {Strain Effects on Electronic Properties of Cobalt-Based Coordination Nanosheets},
author = {Kento Nishigomi and Yu Yi and Souren Adhikary and Kazuhito Tsukagoshi and Katsunori Wakabayashi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2510.03549},
year = {2025}
}
备注
9 pages, 5 figures