插层过渡金属二硫化物 $Co_{1/3(1\pm\delta)}NbS_{2}$ 的成分依赖体性质

我们报告了对 $Co_{1/3(1\pm\delta)}NbS_{2}$ 单晶中成分依赖体性质的系统研究，涵盖了一系列精确控制的钴成分，范围从 -4% < $\delta$ < 8%。通过调节钴化学计量比，我们发现拓扑霍尔效应对于插层钴成分极为敏感，当钴成分超过 $\delta$ = +4% 时完全消失。我们还观察到纵向电导率也受到钴成分的强烈影响，在拓扑霍尔效应消失之前达到最大值。此外，比热测量揭示了不同成分之间不同的索末菲系数（$\gamma$），它们与普通霍尔系数（$R_H^{-1}$）的倒数呈明显的线性关系。这些结果表明，在 $Co_{1/3(1\pm\delta)}NbS_{2}$ 中进行成分调节系统地改变了低能电子自由度，超越了简单的稀杂质图像。最后，我们利用微观自旋哈密顿量解释了实验观测到的 M 点调制向量和相应的三重 Q 磁有序的稳定性。我们的发现强调，该系统的拓扑性质可通过精确控制插层浓度进行高度调节，为插层过渡金属二硫化物中电子有序与磁有序之间的竞争提供了新的视角。