嵌入式过渡金属硫化物中的磁弹性耦合
强关联电子
2025-03-19 v1 材料科学
摘要
过渡金属硫化物 (TMD) 中较大的范德华间隙为置入外部金属原子以改变这些二维材料的基态提供了途径。本文通过实验和理论方法探讨嵌入式 TMD 中电荷关联。虽然 CoTaS 和 FeTaS 表现出短程电荷波动，但在 FeNbS 中，由磁有序和晶格自由度之间的相互作用驱动，长程电荷有序被激活。通过磁场在 以下增强电荷调制，演示了 FeNbS 中的磁弹性耦合，尽管密度泛函扰动理论 (DFPT) 计算预测电子(自旋)-声子耦合可忽略不计。此外，我们表明 Co 嵌入的 TaS 显示类似晶格的费米面，从而为在大型族系的嵌入式 TMD 中工程电子能带结构并研究自旋、电荷和自旋-声子机制的相互作用开辟了道路。
引用
@article{arxiv.2503.14444,
title = {Magnetoelastic coupling in intercalated transition metal dichalcogenides},
author = {A. Kar and R. Basak and Xue Li and A. Korshunov and D. Subires and J. Phillips and C. -Y. Lim and Feng Zhou and Linxuan Song and Wenhong Wang and Yong-Chang Lau and G. Garbarino and P. Gargiani and Y. Zhao and C. Plueckthun and S. Francoual and A. Jana and I. Vobornik and T. Valla and A. Rajapitamahuni and James G. Analytis and Robert J. Birgeneau and E. Vescovo and A. Bosak and J. Dai and M. Tallarida and A. Frano and V. Pardo and S. Wu and S. Blanco-Canosa},
journal= {arXiv preprint arXiv:2503.14444},
year = {2025}
}