硼烯异质结构中的电子条纹与输运性质

我们对（i）原始硼烯与（ii）硼烯超晶格结构的结构和电子性质进行了理论研究。在（i）中，结合基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理计算与X射线吸收近边结构（XANES）模拟，我们给出关联硼烯原子排布与X射线吸收谱的全面图像。在表征原始体系电子性质后，我们进而考察二维硼烯超晶格（BSL）中的电子限域效应[（ii）]。此处BSL结构由横向拼接两种不同结构相的硼烯构成，并基于总能量DFT计算考察其能量稳定性与电子性质。我们发现高度各向异性的电子结构，以电子限域效应及沿超晶格形成的金属通道为特征。结合DFT与Landauer-Büttiker形式，我们研究BSL中的电子输运性质。透射概率结果表明，电子输运由π或π与σ透射通道的组合主导，取决于超晶格的原子排布与周期性。最后我们显示，相较于原始硼烯相，BSL中电子输运性质的方向依赖性被极大放大。这些发现表明BSL是在二维平台上设计导电纳米带颇具吸引力的体系。