中和 GeSn 中的光学缺陷
材料科学
2025-08-19 v1 应用物理
摘要
关于在 Ge 衬底上通过分子束外延生长的 GeSn 的光致发光报道一直很有限。我们发现，观察光致发光的一个限制因素是由 Ge 衬底和缓冲层引起的、以 2400 nm 处光致发光为标志的局域缺陷态。在本研究中，我们报告了一项利用掺杂 Ge(001) 衬底的光学研究，该研究通过填充局域缺陷陷阱态，有效抑制了 GeSn 层中与缺陷相关的光致发光。在此实验中，我们在掺杂的 Ge(001) 衬底上生长了 Ge 含量高达 10.5% 的 GeSn 层。对从 GeSn 薄膜收集的光致发光光谱的物理分析显示，在 10.5% Ge 含量对应的预期波长 2300 nm 处存在发射，并且没有通常在 2400 nm 处观察到的缺陷相关信号。通过使用短脉冲光激发在未掺杂 Ge 衬底上生长的 GeSn，进一步证实了这一理解。
引用
@article{arxiv.2508.13027,
title = {Neutralizing Optical Defects in GeSn},
author = {Nirosh M. Eldose and Dinesh Baral and Diandian Zhang and Fernando Maia de Oliveira and Hryhorii Stanchu and Mohammad Zamani-Alavijeh and Yuriy I. Mazur and Wei Du and Shui-Qing Yu and Gregory J. Salamo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2508.13027},
year = {2025}
}
备注
16 pages, 5 figures, original manuscript