嵌入二氧化硅薄膜中的锗-氧缺陷中心的光学性质
材料科学
2009-11-13 v1 无序系统与神经网络
摘要
通过在10-300 K温度范围内同步辐射激发下检测发射光谱和时间衰减，研究了纯二氧化硅衬底上100nm厚掺锗二氧化硅薄膜中锗-氧缺陷中心的光致发光特征。该中心表现出两个发光带，分别位于4.3eV和3.2eV，与其从单重态（S1）和三重态（T1）态的去激发相关，这两个态通过系间窜越过程连接。与从块体掺锗二氧化硅样品获得的结果比较表明，系间窜越速率的效率取决于嵌入锗-氧缺陷中心的基质的性质，在薄膜中比在块体对应物中更有效。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0703062,
title = {Optical properties of Ge-oxygen defect center embedded in silica films},
author = {F. Messina and S. Agnello and R. Boscaino and M. Cannas and S. Grandi and E. Quartarone},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0703062},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 3 figures, in press on J. Non cryst. solids (2007)